隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源模塊因其相對(duì)體積小、效率高、作業(yè)穩(wěn)定等長(zhǎng)處開(kāi)始替代傳統(tǒng)整流電源而被廣泛應(yīng)用到社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。但由于開(kāi)關(guān)電源作業(yè)頻率高，內(nèi)部產(chǎn)生很快的電流、電壓改變，即dv/dt和di/dt，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源模塊將產(chǎn)生較強(qiáng)的諧波干擾和尖峰干擾，并通過(guò)傳導(dǎo)、輻射和串?dāng)_等耦合途徑影響本身電路及其它電子系統(tǒng)的正常作業(yè)，當(dāng)然其本身也會(huì)遭到其它電子設(shè)備電磁干擾的影響。這就是所談?wù)摰碾姶偶嫒菪詥?wèn)題，也是關(guān)于開(kāi)關(guān)電源電磁兼容的電磁打擾EMD與電磁活絡(luò)度EMS規(guī)劃問(wèn)題。由于國(guó)家開(kāi)始對(duì)部分電子產(chǎn)品強(qiáng)制施行3C認(rèn)證，因此一個(gè)電子設(shè)備能否滿(mǎn)足電磁兼容規(guī)范，將關(guān)系到這一產(chǎn)品能否在市場(chǎng)上出售，所以進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性研討顯得非常重要。
電磁兼容學(xué)是一門(mén)綜合性學(xué)科，它觸及的理論包括數(shù)學(xué)、電磁場(chǎng)理論、天線(xiàn)與電波傳達(dá)、電路理論、信號(hào)分析、通訊理論、原料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等。
進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性規(guī)劃時(shí)，首先進(jìn)行一個(gè)系統(tǒng)規(guī)劃，清楚以下幾點(diǎn)：
1.清楚系統(tǒng)要滿(mǎn)足的電磁兼容規(guī)范；
2.確認(rèn)系統(tǒng)內(nèi)的要害電路部分，包括強(qiáng)干擾源電路、高度活絡(luò)電路；
3.清楚電源設(shè)備作業(yè)環(huán)境中的電磁干擾源及活絡(luò)設(shè)備；
4.確認(rèn)對(duì)電源設(shè)備所要采用的電磁兼容性方法。
一、DC/DC變換器內(nèi)部噪聲干擾源分析
1．二極管的反向恢復(fù)引起噪聲干擾
在開(kāi)關(guān)電源中常運(yùn)用工頻整流二極管、高頻整流二極管、續(xù)流二極管等，由于這些二極管都作業(yè)在開(kāi)關(guān)情況，如圖所示，在二極管由阻斷情況到導(dǎo)通作業(yè)過(guò)程中，將產(chǎn)生一個(gè)很高的電壓尖峰VFP；在二極管由導(dǎo)通情況到阻斷作業(yè)過(guò)程中，存在一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間trr，在反向恢復(fù)過(guò)程中，由于二極管封裝電感及引線(xiàn)電感的存在，將產(chǎn)生一個(gè)反向電壓尖峰VRP，由于少子的存儲(chǔ)與復(fù)合效應(yīng)，會(huì)產(chǎn)生瞬變的反向恢復(fù)電流IRP，這種快速的電流、電壓突變是電磁干擾產(chǎn)生的本源。二極管反向恢復(fù)時(shí)電流電壓波形二極管正導(dǎo)游通電流電壓波形。
2．開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生電磁干擾二極管反向恢復(fù)時(shí)電流電壓波形二極管正導(dǎo)游通電流電壓波形在正激式、推挽式、橋式變換器中，流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流波形在阻性負(fù)載時(shí)近似矩形波，含有豐富的高頻成分，這些高頻諧波會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁干擾，在反激變換器中，流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流波形在阻性負(fù)載時(shí)近似三角波，高次諧波成分相對(duì)較少。開(kāi)關(guān)管在注冊(cè)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)時(shí)間很短以及逆變回路中引線(xiàn)電感的存在，將產(chǎn)生很大的dV/dt突變和很高的尖峰電壓，在開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷時(shí)，由于關(guān)斷時(shí)間很短，將產(chǎn)生很大的di/dt突變和很高的電流尖峰，這些電流、電壓突變將產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁干擾。
3．電感、變壓器等磁性元件引起的電磁干擾：在開(kāi)關(guān)電源中存在輸入濾波電感、功率變壓器、隔絕變壓器、輸出濾波電感等磁性元件，隔絕變壓器初次級(jí)之間存在寄生電容，高頻干擾信號(hào)通過(guò)寄生電容耦合到次邊；功率變壓器由于繞制工藝等原因，原次邊耦合不志向而存在漏感，漏電感將產(chǎn)生電磁輻射干擾，其他功率變壓器線(xiàn)圈繞組流過(guò)高頻脈沖電流，在周?chē)鷺?gòu)成高頻電磁場(chǎng)；電感線(xiàn)圈中流過(guò)脈動(dòng)電流會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)輻射，并且在負(fù)載突切時(shí)，會(huì)構(gòu)成電壓尖峰，一同當(dāng)它作業(yè)在飽滿(mǎn)情況時(shí)，將會(huì)產(chǎn)生電流突變，這些都會(huì)引起電磁干擾。
4．控制電路中周期性的高頻脈沖信號(hào)如振蕩器產(chǎn)生的高頻脈沖信號(hào)等將產(chǎn)生高頻高次諧波，對(duì)周?chē)娐樊a(chǎn)生電磁干擾。
5．此外電路中還會(huì)有地環(huán)路干擾、公共阻抗耦合干擾，以及控制電源噪聲干擾等。
6．開(kāi)關(guān)電源中的布線(xiàn)規(guī)劃非常重要，不合理布線(xiàn)將使電磁干擾通過(guò)線(xiàn)線(xiàn)之間的耦合電容和散布互感串?dāng)_或輻射到鄰近導(dǎo)線(xiàn)上，然后影響其它電路的正常作業(yè)。
7．熱輻射產(chǎn)生的電磁干擾，熱輻射是以電磁波的方法進(jìn)行熱交換，這種電磁干擾影響其它電子元器件或電路的正常安穩(wěn)作業(yè)。
二、外界的電磁干擾
關(guān)于某一電子設(shè)備，外界對(duì)其產(chǎn)生影響的電磁干擾包括：電網(wǎng)中的諧波干擾、雷電、太陽(yáng)噪聲、靜電放電，以及周?chē)母哳l發(fā)射設(shè)備引起的干擾。
三、電磁干擾的結(jié)果
電磁干擾將造成傳輸信號(hào)畸變，影響設(shè)備的正常作業(yè)。關(guān)于雷電、靜電放電等高能量的電磁干擾，嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞設(shè)備。而關(guān)于某些設(shè)備，電磁輻射會(huì)引起重要信息的泄露。
四、開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容規(guī)劃
了解了開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部及外部電磁干擾源后，我們還應(yīng)知道，構(gòu)成電磁干擾機(jī)理的三要素是還有傳達(dá)途徑和受擾設(shè)備。因此開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容規(guī)劃首要從以下三個(gè)方面下手：
1.減小干擾源的電磁干擾能量；
2.堵截干擾傳達(dá)途徑；
3.前進(jìn)受擾設(shè)備的抗干擾才干。
正確了解和把握開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾源及其產(chǎn)生機(jī)理和干擾傳達(dá)途徑，關(guān)于采用何種抗干擾方法以使設(shè)備滿(mǎn)足電磁兼容要求非常重要。由于干擾源有開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部產(chǎn)生的干擾源和外部的干擾源，并且可以說(shuō)干擾源無(wú)法消除，受擾設(shè)備也總是存在，因此可以說(shuō)電磁兼容問(wèn)題總是存在。
下面以隔絕式DC/DC變換器為例，談?wù)撻_(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性規(guī)劃：
1.DC/DC變換器輸入濾波電路的規(guī)劃
如圖所示，F(xiàn)V1為瞬態(tài)電壓克制二極管，RV1為壓敏電阻，都具有很強(qiáng)的瞬變浪涌電流的吸收才干，能很好的保護(hù)后級(jí)元件或電路免遭浪涌電壓的破壞。Z1為直流EMI濾波器，有必要出色接地，接地線(xiàn)要短，最好直接安裝在金屬外殼上，還要保證其輸入、輸出線(xiàn)之間的屏蔽隔絕，才干有用的堵截傳導(dǎo)干擾沿輸入線(xiàn)的傳達(dá)和輻射干擾沿空間的傳達(dá)。L1、C1組成低通濾波電路，當(dāng)L1電感值較大時(shí)，還需增加如圖所示的V1和R1元件，構(gòu)成續(xù)流回路吸收L1斷開(kāi)時(shí)開(kāi)釋的電場(chǎng)能，否則L1產(chǎn)生的電壓尖峰就會(huì)構(gòu)成電磁干擾，電感L1所運(yùn)用的磁芯最好為閉合磁芯，帶氣隙的開(kāi)環(huán)磁芯的漏磁場(chǎng)會(huì)構(gòu)成電磁干擾，C1的容量較大為好，這樣可以減小輸入線(xiàn)上的紋波電壓，然后減小輸入導(dǎo)線(xiàn)周?chē)鷺?gòu)成的電磁場(chǎng)。點(diǎn)擊進(jìn)入看圖談?wù)揇C/DC變換器輸入濾波電路2.高頻逆變電路的電磁兼容規(guī)劃，如圖所示，C2、C3、V2、V3組成的半橋逆變電路，V2、V3為IGBT、MOSFET等開(kāi)關(guān)元件，在V2、V3注冊(cè)和關(guān)斷時(shí)，由于開(kāi)關(guān)時(shí)間很快以及引線(xiàn)電感、變壓器漏感的存在，回路會(huì)產(chǎn)生較高的di/dt、dv/dt突變，然后構(gòu)成電磁干擾，為此在變壓器原邊兩端增加R4、C4構(gòu)成的吸收回路，或在V2、V3兩端別離并聯(lián)電容器C5、C6，并縮短引線(xiàn)，減小ab、cd、gh、ef的引線(xiàn)電感。在規(guī)劃中，C4、C5、C6一般選用低感電容，電容器容量的大小取決于引線(xiàn)電感量、回路中電流值以及答應(yīng)的過(guò)沖電壓值的大小，LI2/2=C△V2/2公式求得C的大小，其間L為回路電感，I為回路電流，△V為過(guò)沖電壓值。
為減小△V，就有必要減小回路引線(xiàn)電感值，為此在規(guī)劃時(shí)常運(yùn)用一種叫“多層低感復(fù)合母排”的設(shè)備，由我所申請(qǐng)專(zhuān)利的該種母排設(shè)備能將回路電感下降到滿(mǎn)足小，達(dá)10nH級(jí)，然后抵達(dá)減小高頻逆變回路電磁干擾的目的。
從電磁兼容性規(guī)劃角度考慮，應(yīng)盡量下降開(kāi)關(guān)管V2、V3的開(kāi)關(guān)頻率，然后下降di/dt、dv/dt值。其他運(yùn)用ZCS或ZVS軟開(kāi)關(guān)變換技術(shù)能有用下降高頻逆變回路的電磁干擾。在大電流或高電壓下的快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作是產(chǎn)生電磁噪聲的底子，因此盡可能選用產(chǎn)生電磁噪聲小的電路拓?fù)洌缭诔制綏l件下雙管正激拓?fù)浔葐喂苷ね負(fù)洚a(chǎn)生電磁噪聲要小，全橋電路比半橋電路產(chǎn)生電磁噪聲要小。增加吸收電路后開(kāi)關(guān)管上的電流、電壓波形與沒(méi)有吸收回路時(shí)的波形比較。
3.高頻變壓器的電磁兼容規(guī)劃
在高頻變壓器T1的規(guī)劃時(shí)，盡量選用電磁屏蔽性較好的磁芯原料。
如圖所示，C7、C8為匝間耦合電路，C11為繞組間耦合電容，在變壓器繞制時(shí)，盡量減小散布電容C11，以減小變壓器原邊的高頻干擾耦合到次邊繞組。其他為進(jìn)一步減小電磁干擾，可在原、次邊繞組間增加一個(gè)屏蔽層，屏蔽層出色接地，這樣變壓器原、次邊繞組對(duì)屏蔽層間就構(gòu)成耦合電容C9、C10，高頻干擾電流就通過(guò)C9、C10流到大地。
由于變壓器是一個(gè)發(fā)熱元件，較差的散熱條件必定導(dǎo)致變壓器溫度升高，然后構(gòu)成熱輻射，熱輻射是以電磁波方法對(duì)外傳達(dá)，因此變壓器有必要有很好的散熱條件。一般將高頻變壓器封裝在一個(gè)鋁殼盒內(nèi)，鋁盒還可安裝在鋁散熱器上，并灌注電子硅膠，這樣變壓器即可構(gòu)成較好的電磁屏蔽，還可保證有較好的散熱效果，減小電磁輻射。
4.輸出整流電路電磁兼容規(guī)劃
如圖所示為輸出半波整流電路，V6為整流二極管，V7為續(xù)流二極管，由于V6、V7作業(yè)于高頻開(kāi)關(guān)情況，因此輸出整流電路的電磁干擾源首要是V6和V7，R5、C12和R6、C13別離聯(lián)接成V6、V7的吸收電路，用于吸收其開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰，并以熱的方法在R5、R6上耗費(fèi)。減少整流二極管的數(shù)量就可減小電磁干擾的能量，因此持平條件下，選用半波整流電路比選用全波整流和全橋整流產(chǎn)生的電磁干擾要小。
為減小二極管的電磁干擾，有必要選用具有軟恢復(fù)特性的、反向恢復(fù)電流小、反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管器件。從理論上講，肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）是大都載流子導(dǎo)流，不存在少子的存儲(chǔ)與復(fù)合效應(yīng)，因此也就不會(huì)有反向電壓尖峰干擾，但實(shí)踐上關(guān)于較高反向作業(yè)電壓的肖特基二極管，跟著電子勢(shì)壘厚度的增加，反向恢復(fù)電流會(huì)增大，也會(huì)產(chǎn)生電磁噪聲。因此在輸出電壓較低的情況下選用肖特基二極管作直流二極管產(chǎn)生的電磁干擾會(huì)比選用其它二極管器件要小。
5.輸出直流濾波電路的電磁兼容規(guī)劃
輸出直流濾波電路首要用于堵截電磁傳導(dǎo)干擾沿導(dǎo)線(xiàn)向輸出負(fù)載端傳達(dá)，減小電磁干擾在導(dǎo)線(xiàn)周?chē)碾姶泡椛洹2、C17、C18組成的LC濾波電路，能減小輸出電流、電壓紋波的大小，然后減小通過(guò)輻射傳達(dá)的電磁干擾，濾波電容C17、C18盡量采用多個(gè)電容并聯(lián)，減小等效串聯(lián)電阻，然后減小紋波電壓，輸出電感L2值盡量大，減小輸出紋波電流的大小，其他電感L2最好運(yùn)用不開(kāi)氣隙的閉環(huán)磁芯，最好不是飽滿(mǎn)電感。在規(guī)劃時(shí)，我們要記住，導(dǎo)線(xiàn)上有電流、電壓的改變，在導(dǎo)線(xiàn)周?chē)陀懈淖兊碾姶艌?chǎng)，電磁場(chǎng)就會(huì)沿空間傳達(dá)構(gòu)成電磁輻射。C19用于濾除導(dǎo)線(xiàn)上的共模干擾，盡量選用低感電容，且接線(xiàn)要短，C20、C21、C22、C23用于濾除輸出線(xiàn)上的差模干擾，宜選用低感的三端電容，且接地線(xiàn)要短，接地穩(wěn)定。Z3為直流EMI濾波器，依據(jù)情況運(yùn)用或不運(yùn)用，是選用單級(jí)仍是多級(jí)濾波器，但要求Z3直接安裝在金屬機(jī)箱上，最好濾波器輸入、輸出線(xiàn)能屏蔽隔絕。
6.接觸器、繼電器等其它開(kāi)關(guān)器件電磁兼容規(guī)劃
繼電器、接觸器、風(fēng)機(jī)等在掉電后，其線(xiàn)圈將產(chǎn)生較大的電壓尖峰，然后產(chǎn)生電磁干擾，為此在直流線(xiàn)圈兩端反并聯(lián)一個(gè)二極管或RC吸收電路，在溝通線(xiàn)圈兩端并聯(lián)一個(gè)壓敏電阻用于吸收線(xiàn)圈掉電后產(chǎn)生的電壓尖峰。一同要留心假設(shè)接觸器線(xiàn)圈電源與輔佐電源的輸入電源為同一個(gè)電源，之間最好通過(guò)一個(gè)EMI濾波器。繼電器觸頭動(dòng)作時(shí)也將產(chǎn)生電磁干擾，因此要在觸頭兩端增加RC吸收回路。
7.開(kāi)關(guān)電源箱體結(jié)構(gòu)的電磁兼容規(guī)劃
開(kāi)關(guān)電源原料選擇：沒(méi)有“磁絕緣”原料，電磁屏蔽是運(yùn)用“磁短路”的原理，來(lái)堵截電磁干擾在設(shè)備內(nèi)部與外界空氣中的傳達(dá)途徑。在進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源的箱體結(jié)構(gòu)規(guī)劃時(shí)，要充分考慮對(duì)電磁干擾的屏蔽效能，關(guān)于屏蔽原料的選擇準(zhǔn)則是，當(dāng)干擾電磁場(chǎng)的頻率較高時(shí)，選用高電導(dǎo)率的金屬原料，屏蔽效果較好；當(dāng)干擾電磁波的頻率較低時(shí)，要選用高導(dǎo)磁率的金屬原料，屏蔽效果較好；在某些場(chǎng)合下，假設(shè)要求對(duì)高頻和低頻電磁場(chǎng)都具有出色的屏蔽效果時(shí)，往往選用高電導(dǎo)率和高導(dǎo)磁率的金屬原料組成多層屏蔽體。
孔洞、縫隙、搭接處理方法：選用電磁屏蔽方法無(wú)需從頭規(guī)劃電路，便可抵達(dá)很好的電磁兼容效果。志向的電磁屏蔽體是一個(gè)無(wú)縫隙、無(wú)孔洞、無(wú)透入的導(dǎo)電接連體，低阻抗的金屬密封體，可是一個(gè)完全密封的屏蔽體是沒(méi)有實(shí)用價(jià)值的，由于在開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，有輸入、輸出線(xiàn)過(guò)孔、散熱通風(fēng)孔等孔洞，以及箱體結(jié)構(gòu)部件之間的搭接縫隙，假設(shè)不采用方法將會(huì)產(chǎn)生電磁泄露，使箱體的屏蔽效能下降、乃至完全損失。因此在開(kāi)關(guān)電源箱體規(guī)劃時(shí)，金屬板之間的搭接最好選用焊接，無(wú)法焊接時(shí)要運(yùn)用電磁密封墊或其它的屏蔽原料，箱體上的開(kāi)孔要小于要屏蔽的電磁波的波長(zhǎng)的1/2，否則屏蔽效果將大大下降；關(guān)于通風(fēng)孔，在屏蔽要求不高時(shí)可以運(yùn)用穿孔金屬板或金屬化絲網(wǎng)，在要求既要屏蔽效能高，又要通風(fēng)效果好時(shí)選用到波導(dǎo)管等方法，前進(jìn)屏蔽體的屏蔽效能。假設(shè)箱體的屏蔽效能仍無(wú)法滿(mǎn)足要求時(shí)，可以在箱體上噴涂屏蔽漆。除了對(duì)開(kāi)關(guān)電源整個(gè)箱體的屏蔽之外，還可以對(duì)電源設(shè)備內(nèi)部的元件、部件等干擾源或活絡(luò)設(shè)備進(jìn)行部分屏蔽。
在進(jìn)行箱體結(jié)構(gòu)規(guī)劃時(shí)，針對(duì)設(shè)備上一切會(huì)遭到靜電放電試驗(yàn)的部分，規(guī)劃出一條低阻抗的電流泄放途徑，箱體有必要有穩(wěn)定的接地方法，并且要保證接地線(xiàn)的載流才干，一同將活絡(luò)電路或元件遠(yuǎn)離這些泄放回路，或?qū)ζ溥x用電場(chǎng)屏蔽方法。關(guān)于結(jié)構(gòu)件的表面處理，一般首要電鍍銀、鋅、鎳、鉻、錫，這需要從導(dǎo)電性能、電化學(xué)反響、本錢(qián)及電磁兼容性等多方面考慮后做出選擇。
開(kāi)關(guān)電源的元器件布局與布線(xiàn)中的電磁兼容規(guī)劃
關(guān)于開(kāi)關(guān)電源設(shè)備內(nèi)部元器件的布局有必要整體考慮電磁兼容性的要求，設(shè)備內(nèi)部的干擾源會(huì)通過(guò)輻射和串?dāng)_等途徑影響其它元件或部件的作業(yè)，研討標(biāo)明，在離干擾源必定間隔時(shí)，干擾源的能量將大大衰減，因此合理的布局有利于減小電磁干擾的影響。
EMI輸入輸出濾波器最好安裝在金屬機(jī)箱的入口處，并保證其輸入線(xiàn)與輸出線(xiàn)電磁環(huán)境的屏蔽隔絕。
活絡(luò)電路或元件要遠(yuǎn)離發(fā)熱源。
關(guān)于開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品，我們一般須恪守以下布線(xiàn)準(zhǔn)則：
1主電路輸入線(xiàn)與輸出線(xiàn)分隔走線(xiàn)。
2EMI濾波器輸入線(xiàn)與輸出線(xiàn)分隔走線(xiàn)。
3主電路途與控制信號(hào)線(xiàn)分隔走線(xiàn)。
4高壓脈沖信號(hào)線(xiàn)最好分隔單獨(dú)走線(xiàn)。
5分隔布線(xiàn)的準(zhǔn)則是防止平行走線(xiàn)，可以筆直穿插，線(xiàn)束之間間隔在20mm以上。
6電纜不要貼著金屬外殼和散熱器走線(xiàn)，保證必定間隔。
7雙絞線(xiàn)、同軸電纜及帶狀電纜在EMC規(guī)劃中的運(yùn)用
雙絞線(xiàn)、同軸電纜都能有用的克制電磁干擾。在脈沖信號(hào)傳輸線(xiàn)路中常運(yùn)用雙絞線(xiàn)，控制輔佐電源線(xiàn)和傳感器信號(hào)線(xiàn)最好用雙絞屏蔽線(xiàn)。由于雙絞線(xiàn)兩根線(xiàn)之間有很小的回路面積，并且雙絞線(xiàn)的每?jī)蓚€(gè)相鄰的回路上感應(yīng)出的電流具有大小持平、方向相反，產(chǎn)生的磁場(chǎng)互相抵消，這樣就可以減小因輻射引起的差模干擾，不過(guò)雙絞線(xiàn)絞合的圈數(shù)最好為偶數(shù)，且每單位波長(zhǎng)所絞合的圈數(shù)愈多，消除耦合的效果愈好。運(yùn)用時(shí)留心雙絞線(xiàn)和同軸電纜兩端不能一同接地，只能單端接地，而對(duì)屏蔽線(xiàn)，屏蔽層兩端接地能既能屏蔽電場(chǎng)還能屏蔽磁場(chǎng)，單端接地只能屏蔽電場(chǎng)。運(yùn)用同軸電纜時(shí)還要留心，其屏蔽層有必要完全包覆信號(hào)線(xiàn)接地，即接頭與電纜屏蔽層有必要3600搭接，才干有用屏蔽電磁場(chǎng)，如圖所示，信號(hào)線(xiàn)暴露部分仍可以與外界構(gòu)成互容耦合，下降屏蔽效能。
帶狀電纜適合于短間隔的信號(hào)傳輸，我們知道為了下降差模信號(hào)的電磁輻射，有必要減小信號(hào)線(xiàn)和信號(hào)回流線(xiàn)所構(gòu)成的回路面積，因此在規(guī)劃帶狀電纜布局時(shí)，最好將信號(hào)線(xiàn)與接地線(xiàn)間隔擺放。如圖所示，其間S為信號(hào)線(xiàn)，G為信號(hào)地線(xiàn)。
元器件的選擇
熱傳達(dá)的方法有傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射，熱輻射是以電磁波的方法向空中傳達(dá)的，熱傳導(dǎo)也會(huì)向周?chē)渌鲗?dǎo)熱量，這些都會(huì)影響其它元器件或電路的正常作業(yè)，因此從元器件熱規(guī)劃方面考慮要盡量留有較大余量，以下降元器件的溫升及器件表面的溫度，除元器件對(duì)溫升有特殊要求外，一般開(kāi)關(guān)電源要求內(nèi)部元件溫度小于90℃，內(nèi)部環(huán)境溫度不超越65℃，以減小熱輻射干擾。
對(duì)數(shù)字集成電路，從電磁兼容性角度看應(yīng)多選用高噪聲容限的CMOS器件代替低噪聲容限的TTL器件。
盡量運(yùn)用低速、窄帶元件和電路。
選用散布電感較小的SMP元件，選用高頻特性好、等效串聯(lián)電感低的陶瓷介質(zhì)電容器、高頻無(wú)感電容器、三端電容器和穿心電容器等作濾波電容。
控制電路及PCB的電磁兼容規(guī)劃
信號(hào)地是指信號(hào)電流流回信號(hào)源的一條低阻抗途徑。在規(guī)劃中往往由于接地方法不恰當(dāng)而產(chǎn)生地環(huán)路干擾和公共阻抗耦合干擾。因此要合理選用接地方法，接地的方法有單點(diǎn)接地、多點(diǎn)接地和混合接地。
地環(huán)路干擾：常產(chǎn)生在通過(guò)較長(zhǎng)電纜聯(lián)接，地相距較遠(yuǎn)的設(shè)備之間。原因是由于地環(huán)路電流的存在，使兩個(gè)設(shè)備的地電位不同。一般用光電耦合器或隔絕變壓器進(jìn)行“地”隔絕，消除地環(huán)路干擾。由于隔絕變壓器繞組之間寄生電容較大，即使采用屏蔽方法的隔絕變壓器一般也只用于1MHZ以下的信號(hào)隔絕，超越1MHZ時(shí)多選用光電耦合器隔絕。
公共阻抗耦合：當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過(guò)一個(gè)公共阻抗時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生公共阻抗耦合。由于地線(xiàn)是信號(hào)回流線(xiàn)，一個(gè)電路的作業(yè)情況必定會(huì)影響地線(xiàn)電壓，當(dāng)兩個(gè)電路共用一段地線(xiàn)時(shí)，地線(xiàn)的電壓就會(huì)一同遭到兩個(gè)電路作業(yè)情況的影響。
可見(jiàn)無(wú)論是地環(huán)路干擾仍是公共阻抗耦合問(wèn)題都是由于地線(xiàn)阻抗引起的，因此在規(guī)劃時(shí)必定要考慮盡量下降地線(xiàn)阻抗與感抗。
怎么減小控制電源噪聲：電源線(xiàn)上有電流突變，就會(huì)產(chǎn)生噪聲電壓。在接近芯片的位置增加解耦電容，能有用減小噪聲。假設(shè)是高頻電流負(fù)載，則選用多個(gè)同容量的高頻電容和無(wú)感電容并聯(lián)能取得更好的效果。留心電容容量并非越大越好，首要依據(jù)其諧振頻率、供給脈沖電流頻率來(lái)選擇。
印制板合理的安頓地線(xiàn)將能有用的減小印制板的輻射以及前進(jìn)其抗輻射干擾才干，請(qǐng)留心
l安頓地線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)：在雙面板的雙面安頓最多的平行地線(xiàn)。
l關(guān)于一些要害信號(hào)（如脈沖信號(hào)和對(duì)外界較活絡(luò)的電平信號(hào)）的地線(xiàn)的安頓有必要盡量縮小引線(xiàn)長(zhǎng)度，減小信號(hào)的回流面積。假設(shè)是雙面板，地線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)可以在印制板雙面并聯(lián)平行走線(xiàn)。
l若是多層線(xiàn)路板，且既有數(shù)字地又有仿照地，則數(shù)字地和仿照地有必要安頓在同一層，減小它們之間的耦合干擾。
l在實(shí)踐電路中常產(chǎn)生公共阻抗耦合，因此要依據(jù)實(shí)踐情況選擇正確的接地方法。
11.其它方法
11.1.IGBT，MOSFET等開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)增加一個(gè)-5V～-10V的負(fù)電平，前進(jìn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的抗干擾才干。或驅(qū)動(dòng)信號(hào)選用光纖傳輸技術(shù)，光纖適宜于遠(yuǎn)間隔傳輸，具有抗干擾才干強(qiáng)的特色。
11.2.通過(guò)軟件的編程技術(shù)，前進(jìn)開(kāi)關(guān)電源的抗干擾才干，為了防止電平信號(hào)中的毛刺，引起軟件的誤判別及誤動(dòng)作，可以通過(guò)多次采樣等數(shù)字濾波方法來(lái)濾除干擾信號(hào)。
本文具體分析了隔絕式DC/DC變換器存在的電磁干擾源及其產(chǎn)生機(jī)理，并具體介紹了針對(duì)其主電路和控制電路的電磁兼容規(guī)劃方法，這些方法對(duì)其它電子產(chǎn)品的電磁兼容規(guī)劃具有必定的指導(dǎo)效果。
